Podczas pracy na konferencji ISSCC 2025, Samsung ogłosił swoją najnowszą, dziesiątą generację pamięci V-NAND. Te innowacyjne układy osiągają niesamowite 400 aktywnych warstw oraz imponującą przepustowość interfejsu wynoszącą 5,6 GT/s, co z pewnością wyznaczy nowe standardy w dziedzinie wydajności dysków SSD.

Koreańska firma jest gotowa na nadchodzące rozwiązania z interfejsem PCIe 6.0 x4, co może otworzyć zupełnie nowe możliwości dla użytkowników.

Ciekawostką jest architektura CoP wykorzystująca nowatorską technologię hybrid bonding, po raz pierwszy wdrożoną przez Samsunga. Dzięki niej, zyskuje się większą elastyczność, oddzielając układ peryferyjny od samej matrycy 3D NAND. Obie komponenty są produkowane na oddzielnych waflach, a łączone są na późniejszym etapie wytwarzania.

Nowe V-NAND wykorzystuje 3D TLC o pojemności 1 Tb na kość i gęstości 28 Gb/mm². Choć gęstość w porównaniu do 3D QLC (1 Tb, 28,5 Gb/mm²) jest nieco niższa, to cel najnowszej technologii wydaje się być jasny: maksymalizacja wydajności oraz optymalizacja procesów produkcyjnych.

Kiedy zintegrowane zostaną większe ilości pamięci, możliwe będzie osiągnięcie przepustowości w pełni wykorzystywanych interfejsów SSD. Na przykład dziesięć takich układów przy pełnym połączeniu wyczerpuje przepustowość PCIe 4.0 x4, natomiast dwadzieścia – PCIe 5.0 x4. Z kolei konfiguracja z 32 kośćmi bliska jest osiągnięcia limitu PCIe 6.0 x4.

Oznacza to nie tylko znaczące zwiększenie wydajności, ale także ogromne możliwości pojemnościowe. Standardowe nośniki M.2 2280 zazwyczaj obsługują 8 lub 16 kości, co pozwala uzyskać do 2 TB w jednym pakiecie. Umieszczając cztery takie pakiety na jednej stronie dysku, docieramy do 8 TB, a w przypadku konstrukcji dwustronnej – imponujące 16 TB. Jednakże, Samsung w ostatnich latach nie zdecydował się na szeroką dostępność dwustronnych dysków, z uwagi na kompatybilność z większością laptopów.

Mimo że szczegółowe terminy wprowadzenia V-NAND 10. generacji do masowej produkcji pozostają nieznane, jedno jest pewne: gdy Samsung zdecyduje się na komercyjne wdrożenie, możemy się spodziewać przełomu w wydajności oraz pojemności nowoczesnych rozwiązań pamięci masowej! Bądźcie gotowi na rewolucję w świecie technologii!