SK hynix, jeden z głównych graczy na świecie w produkcji pamięci, ogłosił ambitne plany związane z produkcją nowej generacji pamięci HBM4, które mają być wytwarzane z wykorzystaniem litografii 3 nm TSMC. To istotny krok, ponieważ pierwotnie rozważano użycie technologii 5 nm. Zmiana ta ma na celu zwiększenie wydajności akceleratorów AI produkowanych przez NVIDIĘ, które w chwili obecnej preferują rozwiązania Samsunga w litografii 4 nm.

Kiedy SK hynix ujawnił swój pierwszy prototyp HBM4 w marcu, osiągnięto w nim znaczące usprawnienia technologiczne, polegające na pionowym układaniu warstw na matrycy wykonanej w technologii 3 nm. Szacuje się, że ta nowa technologia przyniesie wzrost wydajności od 20 do 30% w porównaniu do dotychczasowego procesu 5 nm. Warto jednak zauważyć, że większa część produkcji pamięci HBM4 i HBM4E nadal odbywać się będzie przy użyciu starszej litografii 12 nm.

SK hynix już obecnie posiada niemal 50% udziałów na rynku HBM, z większością produkcji kierowaną do NVIDII. Jednak zmiany w amerykańskiej polityce dotyczącej Chin, które wprowadziły nowe sankcje również na najwydajniejsze pamięci VRAM, mogą znacząco wpłynąć na sytuację firmy. To pytanie o przyszłość rynków pamięci pozostaje wciąż aktualne, a wielu analityków z niecierpliwością obserwuje skutki tych decyzji.

Dodatkowo, warto zauważyć, że konkurencja pomiędzy SK hynix a Samsungiem staje się coraz bardziej zacięta. Samsung także pracuje nad nowymi technologiami pamięci, co wskazuje, że rynek w najbliższych latach jeszcze bardziej się skomplikować. Czy SK hynix zdoła utrzymać swoją dominującą pozycję, czy może Samsung zaskoczy nas swoimi innowacjami? Jedno jest pewne – w nadchodzących miesiącach będzie to emocjonujący wyścig technologiczny!